选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比,可以表示为功率耗散电容值。比如,HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时,相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容,整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容,相应地也需要更多的电流。相比之下,无锡3225晶振销售,无锡3225晶振销售,晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能,范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。晶振的主要参数有标称频率,无锡3225晶振销售、负载电容、频率精度、频率稳定度等。无锡3225晶振销售
晶振为何被要求紧挨着单片机?原因如下:晶振是通过电激励来产生固定频率的机械振动,而振动又会产生电流反馈给电路,电路接到反馈后进行信号放大,再次用放大的电信号来激励晶振机械振动,晶振再将振动产生的电流反馈给电路,如此这般。当电路中的激励电信号和晶振的标称频率相同时,电路就能输出信号强大,频率稳定的正弦波。整形电路再将正弦波变成方波送到数字电路中供其使用。问题在于晶振的输出能力有限,它光光输出以毫瓦为单位的电能量。在 IC(集成电路) 内部,通过放大器将这个信号放大几百倍甚至上千倍才能正常使用。无锡3225晶振销售具有自动增益控制的振荡电路,是目前获得振荡频率高稳定度的比较理想的技术方案。
晶振在应用具体起到的作用,微控制器的时钟源可以分为两类:基于机械谐振器件的时钟源,如晶振、陶瓷谐振槽路;RC(电阻、电容)振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置,适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动,成本也比较低,但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差,会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时,陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感,但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)。
温度频差(Frequency Stability vs Temp)表示在特定温度范围内,工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离,它的单位也是ppm。石英晶体有一种特性,如果在晶片某轴向上施加压力时,相应施力的方向会产生一定的电位相反的,在晶体的某些轴向施加电场时,会使晶体产生机械变形;晶体的自然谐振频率,它在高稳晶振的设计中,是作为使晶振稳定工作于标称频率、确定频率调整范围、设置频率微调装置等要求时的设计参数(但不是标称频率)。当晶体元件与外部电容相连接时(并联或串联),在负载谐振频率时的电阻即为负载谐振电阻RL,它总是大于晶体元件本身的谐振电阻。晶振具有压电效应,即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形。
晶振的振动模式与频率关系:基频1~35MHz;3次泛音10~75MHz;5次泛音 50~150MHz;7次泛音 100~200MHz;9次泛音 150~250MHz。晶体电阻:对于同一频率,当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。"信号源+电平表"功能由网络分析仪完成;Ri、R0:仪器内阻:一般为50Ω。R1--滤波器输入端外接阻抗,阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。R2--滤波器输出端外接阻抗,阻抗值为匹配阻抗减去50Ω。在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求,应按上图连接。振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。无锡3225晶振销售
串联型晶体振荡器采用了两级放大电路,石英晶体X1构成反馈电路。无锡3225晶振销售
晶振的工作温度范围与温度频差:在提出温度频差时,应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高,同时空间和功率都允许的情况下,应考虑恒温工作,恒温晶体振荡器就是为此而设计的。负载电容与频率牵引:在许多应用中,都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求,这在锁相环回路及调频应用中非常必要,大多数情况下,这个负载电抗呈容性,当该电容值为CL时,则相对负载谐振频率偏移量为:DL=C1/[2(C0+CL)]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时,相对频率牵引为:DL1,L2= C1(CL1-CL2)/[2(C0+CL1)(C0+CL2)]。无锡3225晶振销售
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