半导体的物理伏安特性伏安特性所谓伏安特性,即是流过P-N结的电流随电压变化的特性,在示波器上能十分形象地展示这种变化。一根完整的伏安曲线包括正向特性与反向特性。通常,反向特性曲线变化较为陡峭,当电压超过某个阈值时,电流会出现指数式上升。通常可用反向击穿电压,反向电流和正向电压三个参数来进行伏安特性曲线的描述。所以,LED的工作前提:LED属于半导体,有单向导电性,流过的电流和电压不成线性正比。LED光通量随电流增大而增大,但也不成正比。工作在低压的直流电下,一般电压在2-5VDC之间,而紫外光电压在4-5V之间;电压不能过高,大于某个阈值的时候,电流会指数式上升,没有保护电路的话,一般会击穿晶片;反向电压一般为10V左右,大不得超过15V,否则会反向击穿灯珠。(接反会导致反向电压,过高会造成损坏)LED各类型封装芯片的一般额定电压,额定电流表格SMD中小功率SMD中小功率封装形式的电压,电流都不一定的。一般是3-5V,不过也有特意几个晶片串联一起的高压灯珠,有6V,9V,18V,24V等,北京新品LED供应商,北京新品LED供应商。LED,北京新品LED供应商,就选上海先盛照明电器有限
[详情]